UV-M10-S紫外线灯ORC製作所

特定の気体と金属蒸気の放電によって発光する電極間隔が1〜10ｍｍ程度のランプで、点灯中の圧力は100kPa以上です。リソグラフィ用UVランプとして高い評価と信頼をいただいています。ORCショートアークUVランプは高効率で紫外線を放射する点光源として、露光、乾燥、その他あらゆる産業、研究分野で利用されています。お客さまの御要望にお応えする幅広いラインナップを取りそろえており、共同開発などの課題解決のお役に立てます。i线步进式光刻机NSR-2205i12,用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2011AHL。UV-M10-S紫外线灯ORC製作所

オーク製作所

紫外線光量計(Made in japan)

用途:OLED,LED,PCB,IC，LCD工厂，封装工艺中密封框胶水的固化。

特长：紫外线光固化，低能耗，无污染，高效率。

配合光量计，测量365nm峰值波长紫外线灯照度大小。

型番:UV-351

規格:測定波長:310～385nm

測定照度範囲:0.1～100ｍW/cm²

測定光量範囲:1～19999mJ/cm²

繰り返し精度:±1.5%以内

標準構成:

①光量计本体UV-351

②减光filter

③纽扣锂电池

④螺丝刀₋

⑤螺丝刀＋

⑥操作说明书

⑦除尘布

⑧收纳箱 中国MEMS回路形成用光源紫外线灯i线步进式光刻机NSR-2005i8用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯，功率:2KW,型号：NLi-2000A-1。

i线步进式光刻机NSR-SF140适用于半导体器件的制造。性能：Resolution分辨率≦280nm，Exposure light source曝光光源i-line(365nmwavelength)，Reductionratio缩小倍率1:4Maximumexposurefield，曝光范围26mm×33mm，Throughput产出≧200wafers/hour(300mmwafer,76shots),也可用于200mmwafer。采用悬吊投影镜头、减轻震动的“天钩构造”。通过高速运转的晶圆工作台，实现了每小时200片以上300mm晶圆的高产出。●超高产出采用了适于步进式光刻机的新平台“天钩构造”，同时晶圆工作台可高速运转，从而大幅度降低了振动，并实现了高产出。达到了每小时200片以上300mm晶圆的超高产出。高重合精度采用了“天钩构造”与配重物。并重新配置了空调管路，有利于工作室内的散热。使用ORC制作所生产的7.5KW超高压汞灯，对应型号：NLi-7500AL2。

高压短弧汞灯又称高压汞灯，ORC制作所有30年以上制造经验。

点亮汞灯需要高压启动器配合，目的是提供20KV电压，用于击穿汞灯的阳极/阴极之间的绝缘状态，使其在灯球内形成短路状态，持续放射出电弧。

电源提供电子，运动方向由正电荷移动到负电荷，电子和汞蒸气原子在灯球内相互碰撞，产生热量，100KPa以上的膨胀高压，持续发出紫外线平行光。

根据产品所需紫外线光种类，调整汞液体的充填量和充填稀有气体种类。

波长分布设计跨度UVA，UVB，UVC。 .我们的工业用紫外线灯可根据客户需求定制，包括不同的尺寸、功率、波长等参数。

b.接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用。c.投影式曝光（Projection Printing）:在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。增加了棱镜系统的制作难度。用紫外线点亮半导体，点亮科技进步的未来。曝光机紫外线灯BDE-802A

紫外线消毒标准，超高压汞灯、金属卤素灯，工业用灯选择。UV-M10-S紫外线灯ORC製作所

于2005年开始，使用尼康Nikon i-line步进式光刻机，型号：NSR-SF140,分辨率≤280nm。这是一种具有高吞吐量和极低拥有成本的扫描场i线步进器。

客户可以将NSR-SF140用于大规模生产下一代存储器和微处理器的非关键层。NSR-SF140可提高生产率并提高镜头性能。光源和透镜热管理得到了改进，在典型的生产应用中（即剂量=200mJ/cm2，300mm晶片上的76次曝光）。

光刻设备中光源为紫外线I线，波长为365nm，功率为7.5KW,对应型号为NLi-7500AL2,是日本ORC生产。

光源制作工厂给出寿命时间1500Hr，照度保证时间1500Hr的承诺。

使用步进式光刻机型号：NSR-SF140,NSR-SF150,NSR-SF155； UV-M10-S紫外线灯ORC製作所